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Fuite inverse de pont redresseur de silicium de DB107S 1A 1000V la basse a moulé le corps en plastique

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small.img.alt DB107S 1A 1000V Silicon Bridge Rectifier Low Reverse Leakage Molded Plastic Body DB107S 1A 1000V Silicon Bridge Rectifier Low Reverse Leakage Molded Plastic Body small.img.alt DB107S 1A 1000V Silicon Bridge Rectifier Low Reverse Leakage Molded Plastic Body DB107S 1A 1000V Silicon Bridge Rectifier Low Reverse Leakage Molded Plastic Body
Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Huixin
Certification: ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL
Numéro de modèle: DB107S
Quantité de commande min: 5000
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: 5000
Délai de livraison: 2-4 semaines
Conditions de paiement: T/T, Paypal, argent liquide
Capacité d'approvisionnement: 1 milliard de morceaux de mois
meilleur prix Contactez
Type: Pont redresseur DB107S Matériel: Redresseur de silicium
Paquet: DB-S MPQ: 1000pcs
MOQ: 1000pcs Temps d'échantillon: 5-7days
Échantillons: libre Délai d'exécution: 2-4weeks
Type de paquet: Type monté extérieur de SMD Statut sans plomb: RoHS conforme
Surligner:

rectifierr à demi onde de pont monophasé

,

redresseur extérieur de bâti

 

 

 

Pont redresseur de DB107S 1A 1000V

 

Corps en plastique moulé basse par fuite de pont redresseur de silicium de DB107S 1A 1000V inverse

 

 

DB101S~DB107S DBS Datasheet.pdf

 

 

Caractéristique

 

 

  • Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
  • Classification 94V-0 d'inflammabilité
  • Idée pour la carte électronique
  • Puce passivée en verre de jonction
  • Basse fuite inverse
  • Capacité élevée de courant de montée subite en avant
  • Soudure à hautes températures garantie

 

 

Données mécaniques

 

 

  • Cas : Corps en plastique moulé
  • Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
  • Polarité : Symbole de polarité marquant sur le corps
  • Position de montage : Quels
  • Poids : 0,0078 onces, 0,22 grammes

 

 
Estimations maximum et caractéristiques électriques
 

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 

 

Paramètre SYMBOLES

DB101

S

DB102

S

DB103

S

DB104

S

DB105

S

DB106

S

 

DB107

S

 

 UNITÉS
Tension inverse de crête répétitive maximum VRRM 50 100 200 400 600 800

 

1000

 

 Volts
Tension maximum de RMS VRMS 35 70 140 280 420 560

 

700

 

 Volts
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 50 100 200 400 600 800

 

1000

 

 Volts
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C SI (POIDS DU COMMERCE)

 

1

 

 Ampères
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée IFSM 35

 

Ampères

 
Tension en avant instantanée maximum à 1A VF 1,1

 

Volts

 
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C TA=25°C IR 5

 

uA

 
TA=125°C 500

 

Note : 1.Measured à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V

 

 

Nous offrons toutes sortes de composants électroniques :
 

 

 

Diodes

Diode de redresseur de but, diode de barrière de Schottky, diode de TV, diode rapide de récupération, diode de commutation, diode Zener…

 

Transistors


Ponts redresseurs

 

Transistor MOSFET

 

 

Produit Tag:

Pont redresseur passivé par verre,

rectifierr à demi onde de pont monophasé,

redresseur extérieur de bâti

Coordonnées
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