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Place of Origin: | China |
---|---|
Nom de marque: | Huixin |
Certification: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Model Number: | BSS138K |
Minimum Order Quantity: | 3000pcs |
Prix: | Negotiable |
Packaging Details: | 3000pcs / Reel |
Delivery Time: | 4-5Weeks |
Payment Terms: | T/T, MoneyGram |
Supply Ability: | 1 billion pieces/ Month |
Type: | N-canal de BSS138K | Matériel: | Silicium |
---|---|---|---|
Paquet: | SOT-23 | Tension de Drain-source: | 50V |
Courant continu de drain: | 0.22A | Dissipation de puissance: | 0.35W |
MPQ: | 3000PCS | Caractéristiques: | Rocailleux et fiable |
Surligner: | Transistor MOSFET de basse tension de silicium,0.35W BSS138K,Transistor MOSFET rocailleux de basse tension |
Paramètre | Symbole | Limite | Unité | ||||||||||
Tension de Drain-source | VDS | 50 | V | ||||||||||
Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V | ||||||||||
Vidangez Actuel-continu | Identification | 0,22 | |||||||||||
Drain Actuel-pulsé (note 1) | IDM | 0,88 | |||||||||||
Dissipation de puissance maximum | Palladium | 0,35 | W | ||||||||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 à 150 | ℃ |
Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité | |||||||
Outre des caractéristiques | |||||||||||||
Tension claque de Drain-source | BVDSS | IDENTIFICATION =250ΜA DE VGS =0V | 50 | 65 | - | V | |||||||
Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS =±10V, VDS =0V | - | ±110 | ±500 | Na | |||||||
VGS =±12V, VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | uA | |||||||||
Sur des caractéristiques (note 3) | |||||||||||||
Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250ΜA | 0,6 | 1,1 | 1,6 | V | |||||||
Résistance de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS =5V, IDENTIFICATION =0.2A | - | 1,3 | 3 | Ω | |||||||
VGS =10V, IDENTIFICATION =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
Transconductance en avant | gFS | VDS =10V, IDENTIFICATION =0.2A | 0,2 | - | - | S | |||||||
Caractéristiques dynamiques (Note4) | |||||||||||||
Capacité d'entrée | Clss | VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
Capacité de sortie | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
Capacité inverse de transfert | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
Caractéristiques de changement (note 4) | |||||||||||||
Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) | VDD =30V, IDENTIFICATION =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω | - | - | 5 | NS | |||||||
Temps de montée d'ouverture | TR | - | - | 5 | NS | ||||||||
Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | - | 60 | NS | ||||||||
Temps d'arrêt d'automne | tf | - | - | 35 | NS | ||||||||
Charge totale de porte | Qg | VDS =25V, IDENTIFICATION =0.2A, VGS =10V |
- | - | 2,4 | OR | |||||||
Caractéristiques de diode de Drain-source | |||||||||||||
Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS =0V, EST =0.22A | - | - | 1,3 | V | |||||||
Actuel en avant de diode (note 2) | EST | - | - | 0,22 |