Laisser un message
Nous vous rappellerons bientôt!
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
Merci de consulter vos emails!
Plus d'informations facilitent une meilleure communication.
Soumis avec succès!
Nous vous rappellerons bientôt!
Laisser un message
Nous vous rappellerons bientôt!
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
Merci de consulter vos emails!
Lieu d'origine: | La Chine |
---|---|
Nom de marque: | Huixin |
Certification: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Numéro de modèle: | 1N5403 DO-201AD |
Quantité de commande min: | PCS 1250 |
Prix: | Negotiable |
Délai de livraison: | 2-4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T, Paypal, argent liquide |
Capacité d'approvisionnement: | 1 milliard de morceaux de mois |
Type: | Redresseur de silicium général | Matériel: | Silicium |
---|---|---|---|
Paquet: | DO-201AD | Type de paquet: | Axial |
MPQ: | 1250pcs | Échantillons: | libre |
Temps d'échantillon: | 5-7 jours | Délai d'exécution: | 2-4weeks |
Statut sans plomb: | RoHS | actuel: | SI : 3.0Amp |
Tension: | VRRM : 300V | ||
Surligner: | Diode de redresseur de puissance élevée,Diode de redresseur internationale |
diode d'usage universel du redresseur de silicium 3.0Amp 1N5403
La diode de redresseur générale de silicium de 3Amp 1N5403 avec la soudure a plaqué des terminaux
1N5400~1N5408 DO-27 Datasheet.pdf
Estimations à la température ambiante de 25 °C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Paramètre | SYMBOLES | 1N5400 | 1N5401 |
1N5402
|
1N5403 | 1N5404 | 1N5405 | 1N5406 | 1N5407 | 1N5408 | UNITÉS | |
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
|
210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | Volts | |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 |
200
|
300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Volts | |
Courant en avant moyen maximum de redresseur à TL=100°C | SI (POIDS DU COMMERCE) | 3 | Ampères | |||||||||
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3msSingle superposée à la charge évaluée | IFSM | 150 | Ampères | |||||||||
Tension en avant instantanée maximum à 3A | VF | 1,1 | Volts | |||||||||
Courant maximum d'inverse de C.C à la tension de blocage évaluée de C.C | TA=25°C | IR | 10 | uA | ||||||||
TA=125°C |
500 |
Diode de redresseur d'usage universel
Diode de redresseur rapide de récupération
Diode de redresseur de barrière de Schottky
Basse diode de VF Schottky
Diode passagère de dispositifs antiparasites de tension de TV
Diode de changement à grande vitesse
Diode Zener de silicium
Pont redresseur de silicium
Diode de dispositif antiparasite d'ESD
Transistor
Transistor MOSFET de basse tension