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Lieu d'origine: | La Chine |
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Nom de marque: | Huixin |
Certification: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Numéro de modèle: | RB520S-30 SOD-523 |
Quantité de commande min: | 3000 pcs |
Prix: | Negotiable |
Détails d'emballage: | 3000pcs/reel/box |
Délai de livraison: | 2-4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T, Paypal, argent liquide |
Capacité d'approvisionnement: | 1 milliard de morceaux de mois |
Type: | diode de barrière de 30V Schottky | Paquet: | SOD-523 |
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Type de paquet: | diode extérieure de bâti | Temps d'échantillon: | 5-7 jours |
Max. Forward Current: | 200mA | Tension inverse maximale: | 30v |
IFSM: | 1A | VF: | 0.6V |
Surligner: | Diode de redresseur planaire épitaxiale de silicium,diode de redresseur du silicium 200mA,diodes de barrière de 30V Schottky |
Diode de barrière planaire épitaxiale de Schottky de silicium RB520S-30
Ces diodes de barrière de Schottky sont conçues pour des applications, la protection de circuit, et le fixage de changement high−speed de tension. Extrêmement - la basse tension en avant réduit la perte de conduction. Le paquet extérieur miniature de bâti est excellent pour le hand−held et les applications portatives où l'espace est limité.
Pour la rectification à faible intensité et les applications de changement à grande vitesse.
RB520S-30 SOD523 Datasheet.pdf
Estimations à la température ambiante 25°C sauf indication contraire.
Paramètre
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Symbole
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Valeur
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Unités
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Tension inverse
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VR
|
30
|
V
|
Courant de rectification moyen
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SI (POIDS DU COMMERCE)
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200
|
mA
|
Courant de montée subite en avant maximal
|
IFSM
|
1
|
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La température de jonction
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TJ
|
125
|
℃
|
Tension en avant à SI = 200 mA
|
VF
|
0,6
|
V
|
Note : La manutention des produits sensible d'ESD a exigé.