Transistor MOSFET de puissance de silicium de la Manche 0.35W 0.22A de BSS138K N

 

Paramètre

Symbole

Limite

Unité

Tension de Drain-source

VDS

50

V

Tension de Porte-source

VGS

±20

V

Vidangez Actuel-continu

Identification

0,22

Drain Actuel-pulsé (note 1)

IDM

0,88

Dissipation de puissance maximum

Palladium

0,35

W

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

TJ, TSTG

-55 à 150

℃

 

 

 

 

 

 

Paramètre

Symbole

Condition

Minute

Type

Maximum

Unité

Outre des caractéristiques

Tension claque de Drain-source

BVDSS

IDENTIFICATION =250ΜA DE VGS =0V

50

65

-

V

Courant zéro de drain de tension de porte

IDSS

VDS =50V, VGS =0V

-

-

1

μA

Courant de fuite de Porte-corps

IGSS

VGS =±10V, VDS =0V

-

±110

±500

Na

VGS =±12V, VDS =0V

-

±0.3

±10

uA

Sur des caractéristiques (note 3)

Tension de seuil de porte

VGS (Th)

VDS =VGS, IDENTIFICATION =250ΜA

0,6

1,1

1,6

V

Résistance de Sur-état de Drain-source

LE RDS (DESSUS)

VGS =5V, IDENTIFICATION =0.2A

-

1,3

3

Ω

VGS =10V, IDENTIFICATION =0.22A

-

1

2

Ω

Transconductance en avant

gFS

VDS =10V, IDENTIFICATION =0.2A

0,2

-

-

S

Caractéristiques dynamiques (Note4)

Capacité d'entrée

Clss

VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz

-

30

-

PF

Capacité de sortie

Coss

-

15

-

PF

Capacité inverse de transfert

Crss

-

6

-

PF

Caractéristiques de changement (note 4)

Temps de retard d'ouverture

le TD (dessus)

VDD =30V, IDENTIFICATION =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω

-

-

5

NS

Temps de montée d'ouverture

TR

-

-

5

NS

Temps de retard d'arrêt

le TD ()

-

-

60

NS

Temps d'arrêt d'automne

tf

-

-

35

NS

Charge totale de porte

Qg

VDS =25V, IDENTIFICATION =0.2A, VGS =10V

-

-

2,4

OR

Caractéristiques de diode de Drain-source

Tension en avant de diode (note 3)

VSD

VGS =0V, EST =0.22A

-

-

1,3

V

Actuel en avant de diode (note 2)

EST

-

-

0,22

 

Notes :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
2. extérieur monté sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
4. garanti par conception, pas sujet à la production